Ieee Electron Device Letters

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

中文简介Magazine introduction

IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性相关的原创和重要贡献，涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料，在生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、成像、微执行器、纳米电子学、光电子学、光伏、功率 IC 和微传感器等领域都有应用。

期刊简述Magazine introduction

Ieee Electron Device Letters创刊于1980年，由IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC出版商出版，收稿方向涵盖工程技术 - 工程：电子与电气全领域，此刊是该细分领域中属于非常不错的SCI期刊，在行业细分领域中学术影响力较大，专业度认可很高，所以对原创文章要求创新性较高，如果您的文章质量很高，可以尝试。平均审稿速度约1.3个月，影响因子指数4.900，该期刊近期没有被列入国际期刊预警名单，广大学者值得一试。

中科院分区Magazine introduction

大类学科	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	是	是

名词解释：
中科院分区也叫中科院JCR分区，基础版分为13个大类学科，然后按照各类期刊影响因子分别将每个类别分为四个区，影响因子5%为1区，6%-20%为2区，21%-50%为3区，其余为4区。

JCR分区Magazine introduction

大类学科	小类学科	分区
工程技术	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区

名词解释：
JCR没有设置大类，只分为176个具体学科，按当期（1年）的影响因子进行分区；JCR是按照“平均主义”思想，根据刊物IF的高至低平均划分4个区，每个区含有该领域总量25%的期刊。中科院的分区如同社会阶层的金字塔结构，1区只有5%的顶级期刊， 2~4区期刊数量也逐层增加,所以中科院的1区和2区杂志很少，杂志质量相对也高，基本都是本领域的顶级期刊。

期刊名称	领域	中科院分区	影响因子
Geomechanics For Energy And The Environment	工程技术	2区	5.100
Artificial Cells Nanomedicine And Biotechnology	工程技术	2区	5.800
Ieee Journal On Emerging And Selected Topics In Circuits And Systems	工程技术	2区	4.600
Research In Engineering Design	工程技术	2区	3.200
Engineering Science And Technology-an International Journal-jestech	工程技术	2区	5.700
International Journal Of Lean Six Sigma	工程技术	2区	4.000